本應(yīng)用筆記介紹了從MOSFET漏極驅(qū)動(dòng)的ZCD（零電流檢測(cè)）引腳。該文檔描述了標(biāo)準(zhǔn)的ZCD配置及其替代和電阻器配置。
CS1601采用ZCD（零電流檢測(cè)）設(shè)計(jì)，當(dāng)流過(guò)升壓電感器的電流接近零時(shí)，該控制器便具有開(kāi)啟MOSFET的能力。這也可以描述為谷/零交叉切換。這是通過(guò)在PFC扼流圈上添加檢測(cè)繞組來(lái)檢測(cè)電流來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
如果由于設(shè)計(jì)或制造方面的限制而在升壓電感器上添加輔助繞組成為問(wèn)題，那么下面將介紹實(shí)現(xiàn)此功能的替代方法。
標(biāo)準(zhǔn)ZCD配置
CS1501和CS1601的標(biāo)準(zhǔn)配置是將輔助繞組添加到PFC升壓電感器，以提供零電流檢測(cè)（ZCD）信息。
輔助繞組被添加到PFC升壓電感器，以提供零電流檢測(cè)（ZCD）信息。ZCD比較器在輔助繞組上尋找零交叉點(diǎn)，并在輔助電壓低于零時(shí)切換。在振蕩谷中進(jìn)行切換可最大程度地降低切換損耗并降低EMI噪聲。
替代配置
可以從PFC MOSFET的漏極通過(guò)電阻分壓器實(shí)現(xiàn)ZCD。參見(jiàn)圖2。
在較輕的負(fù)載下，電阻器分壓器電路可能不會(huì)將ZCD引腳拉至其觸發(fā)閾值（低），因?yàn)檎疋忞妷罕旧頃?huì)偏離零伏。這可能會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通，同時(shí)Boost MOSFET的漏極至源極之間仍然存在電壓。使用與電阻R1串聯(lián)的47 pF電容器，可以消除漏極波形上的DC漂移問(wèn)題。電容器的值被最小化以防止額外的電容性開(kāi)關(guān)損耗。
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Mosfet
