中國電科（山西）碳化硅材料產業(yè)基地舉行投產儀式。
圖片來源：中國電科
中國電科黨組書記、董事長熊群力指出，中國電科（山西）電子信息科技創(chuàng)新產業(yè)園是中國電科圍繞半導體材料、裝備制造產業(yè)領域在晉的戰(zhàn)略布局。
中國電科（山西）電子信息科技創(chuàng)新產業(yè)園項目包括“一個中心、三個基地”?！叭齻€基地”即中國電科（山西）碳化硅材料產業(yè)基地、中國電科（山西）電子裝備智能制造產業(yè)基地、中國電科（山西）能源產業(yè)基地。
此前有消息稱，中國電科（山西）碳化硅材料產業(yè)基地將建成國內最大的碳化硅（SiC）材料供應基地。中國電科（山西）碳化硅產業(yè)基地一期項目于2019年4月1日開工建設，同年9月26日封頂，據(jù)此前山西綜改示范區(qū)消息，一期項目建筑面積2.7萬平方米，能容納600臺碳化硅單晶生產爐和18萬片N型晶片的加工檢測能力，可形成7.5萬片的碳化硅晶片產能，將徹底解決國外對我國碳化硅封鎖的局面，實現(xiàn)完全自主可供。項目投產后將成為中國前三、世界前十的碳化硅生產企業(yè)，可實現(xiàn)年產值10億元。
由于大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率，碳化硅材料在眾多戰(zhàn)略行業(yè)具有重要的應用價值和廣闊的應用前景。
自 2007 年，中國電科 2 所便著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規(guī)劃，依靠自身在電子專用設備研發(fā)領域的技術優(yōu)勢，潛心鉆研著碳化硅單晶生長爐的研制。目前全面掌握了高純碳化硅粉料制備工藝、4 英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝，形成了從碳化硅粉料制備、晶體生長、晶片加工、外延驗證等整套碳化硅材料研制線，在國內最早實現(xiàn)了高純碳化硅材料、高純半絕緣晶片量產。
文章標簽：
碳化硅
