一、長(zhǎng)鑫戰(zhàn)略大調(diào)整，DDR4 或?qū)⒊?“過去式”
DIGITIMES 報(bào)道稱，國(guó)內(nèi) DRAM 龍頭長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正籌備一項(xiàng)重大戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變。計(jì)劃在 2026 年中期逐步淘汰面向服務(wù)器和 PC 的 DDR4 產(chǎn)品，全力進(jìn)軍 DDR5 和 HBM 高帶寬內(nèi)存領(lǐng)域。這一決策猶如一顆投入平靜湖面的巨石，在全球 DRAM 市場(chǎng)激起千層浪。
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二、產(chǎn)能擴(kuò)張迅猛，撼動(dòng)行業(yè)格局
即便面臨美國(guó)出口限制，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)擴(kuò)張的腳步也未停歇。最初僅占 2% 市場(chǎng)份額的它，預(yù)計(jì)到 2025 年底，月產(chǎn)量將飆升至 28 萬片晶圓，未來潛力更可達(dá) 30 萬片，屆時(shí)將占據(jù)全球 DRAM 總產(chǎn)量的 15%。其積極進(jìn)取的姿態(tài)，對(duì)三星、SK 海力士和美光主導(dǎo)的市場(chǎng)格局構(gòu)成有力挑戰(zhàn)。
三、DDR5 加速布局，產(chǎn)能占比將超 60%
隨著戰(zhàn)略調(diào)整，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在 DDR5 領(lǐng)域的布局加速 。預(yù)計(jì)到 2025 年底，DDR5 將占其總產(chǎn)量的 60% 以上，再加上 LPDDR4 和 LPDDR5，低功耗 DRAM 生產(chǎn)線將為本土智能手機(jī)品牌提供有力支撐。盡管逐步淘汰標(biāo)準(zhǔn) DDR4，但仍保留部分產(chǎn)線，為兆易創(chuàng)新進(jìn)行消費(fèi)級(jí)外包生產(chǎn)。

四、技術(shù)尚待成熟，前路仍有挑戰(zhàn)
然而，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) DDR5 技術(shù)尚未完全成熟。外媒消息顯示，2025 年第一季度，其 DDR5 樣品未能通過國(guó)內(nèi)某內(nèi)存制造商的集成測(cè)試，致使該制造商轉(zhuǎn)而尋求韓國(guó)替代方案。不過，從過往測(cè)評(píng)來看，若散熱到位，國(guó)產(chǎn) DDR5 滿足日常及一定程度發(fā)燒使用不成問題，已達(dá)到階段性成果。
五、瞄準(zhǔn) HBM3，或成行業(yè)新突破
更引人注目的是，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在開發(fā)高端 HBM 解決方案，大概率指向 HBM3 。鑒于 HBM 在 AI 加速器中的關(guān)鍵作用，一旦成功，這將是比 DDR5 技術(shù)更具影響力的突破。若國(guó)內(nèi)核心廠商獲得 HBM3 持續(xù)供應(yīng)，將對(duì)行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。
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