超 40%！三星 4nm 邏輯芯片良率創(chuàng)新高，HBM4 有望提前登場(chǎng)
近日消息，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，三星電子傳來(lái)一則振奮人心的消息 。近日，據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子代工部門(mén)迎來(lái)關(guān)鍵進(jìn)展，其采用 4nm 工藝生產(chǎn)的、作為第六代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM4）核心的 “邏輯芯片”，測(cè)試生產(chǎn)良率已成功突破 40% 大關(guān) 。這一成績(jī)的取得，無(wú)疑為三星電子在 HBM4 的開(kāi)發(fā)與量產(chǎn)進(jìn)程注入了一劑 “強(qiáng)心針” 。
