超 40%！三星 4nm 邏輯芯片良率創(chuàng)新高，HBM4 有望提前登場
近日消息，在半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域的激烈競爭中，三星電子傳來一則振奮人心的消息 。近日，據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子代工部門迎來關(guān)鍵進(jìn)展，其采用 4nm 工藝生產(chǎn)的、作為第六代高帶寬存儲器（HBM4）核心的 “邏輯芯片”，測試生產(chǎn)良率已成功突破 40% 大關(guān) 。這一成績的取得，無疑為三星電子在 HBM4 的開發(fā)與量產(chǎn)進(jìn)程注入了一劑 “強(qiáng)心針” 。
