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型號: IPB70P04P4-09
描述: Infineon OptiMOS?P P 通道功率 MOSFET **Infineon** **OptiMOS**? P 通道電源 MOSFET 設(shè)計用于提供增強功能,以便達到質(zhì)量指標。 特征包括超低切換損耗、通態(tài)電阻、雪崩額定值以及達到汽車解決方案的 AEC 標準。 應(yīng)用包括:直流-直流、電動機控制、汽車和 eMobility。 增強型模式 雪崩等級 低切換和傳導(dǎo)功率損耗 無鉛引線電鍍;符合 RoHS 標準 標準封裝 OptiMOS? P 通道系列:溫度范圍為 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶體管,Infineon Infineon 龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合包括 OptiMOS? 與 CoolMOS? 系列。 這些產(chǎn)品提供最新一代最先進功率 MOSFET 中的頂級性能
商品二維碼
封 裝: TO-252-3
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標準包裝數(shù): 1
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500+:
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1000+:
¥ 6.2147
2000+:
¥ 6.1694
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價格
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技術(shù)參數(shù)/通道數(shù):

1

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

9.1 mΩ

?

技術(shù)參數(shù)/極性:

P-CH

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

75 W

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

40 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

72A

?

技術(shù)參數(shù)/上升時間:

15 ns

?

技術(shù)參數(shù)/下降時間:

31 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

175 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

75 W

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-252-3

?

外形尺寸/長度:

10 mm

?

外形尺寸/寬度:

9.25 mm

?

外形尺寸/高度:

4.4 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-252-3

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 175℃

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

其他/制造應(yīng)用:

Bridge configuration could be realized with 40V P-Channel as high side device with no need of charge pump, High-Side MOSFETs for motor bridges (half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors)

?

符合標準/RoHS標準:

RoHS Compliant

?

符合標準/含鉛標準:

Lead Free

?

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型號 品牌 相似度 封裝 簡介 數(shù)據(jù)手冊
IPD70P04P4-09 IPD70P04P4-09 Infineon (英飛凌) 類似代替 TO-252-3
的OptiMOS -P2功率三極管 OptiMOS-P2 Power-Transistor

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