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描述: MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
商品二維碼
封 裝: PowerPAK? 1212-8SCD
貨 期:
包裝方式:
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
4.83  元 4.83元
5+:
¥ 6.5205
25+:
¥ 6.0375
50+:
¥ 5.6994
100+:
¥ 5.5545
500+:
¥ 5.4579
2500+:
¥ 5.3372
5000+:
¥ 5.2889
10000+:
¥ 5.2164
數(shù)量
5+
25+
50+
100+
500+
價(jià)格
6.5205
6.0375
5.6994
5.5545
5.4579
價(jià)格 6.5205 6.0375 5.6994 5.5545 5.4579
起批量 5+ 25+ 50+ 100+ 500+
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其他/RoHS 狀態(tài):

符合 ROHS3 規(guī)范

?

其他/濕氣敏感性等級 (MSL):

1(無限)

?

其他/ECCN:

EAR99

?

其他/HTSUS:

8541.29.0095

?

其他/制造商:

Vishay Siliconix

?

其他/系列:

TrenchFET? Gen IV

?

其他/包裝:

卷帶(TR) 剪切帶(CT) Digi-Reel? 得捷定制卷帶

?

其他/Product Status:

在售

?

其他/FET 類型:

2 N 溝道(雙)共漏

?

其他/FET 功能:

標(biāo)準(zhǔn)

?

其他/漏源電壓(Vdss):

25V

?

其他/25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

30.5A(Ta),60A(Tc)

?

其他/不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):

3.5 毫歐 @ 7A,10V

?

其他/不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):

2.3V @ 250μA

?

其他/不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):

56nC @ 10V

?

其他/不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):

2650pF @ 10V

?

其他/功率 - 最大值:

5.2W(Ta),69.4W(Tc)

?

其他/工作溫度:

-55°C ~ 150°C(TJ)

?

其他/安裝類型:

表面貼裝型

?

其他/封裝/外殼:

PowerPAK? 1212-8SCD

?

其他/供應(yīng)商器件封裝:

PowerPAK? 1212-8SCD

?

其他/基本產(chǎn)品編號:

SISF02

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

無鉛

?

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