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型號(hào): SISH106DN-T1-GE3
描述: 晶體管, MOSFET, N溝道, 12.5 A, 20 V, 0.0051 ohm, 4.5 V, 1.5 V
商品二維碼
封 裝: 1212
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
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¥ 6.3585
25+:
¥ 5.8875
50+:
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100+:
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500+:
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數(shù)量
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起批量 5+ 25+ 50+ 100+ 500+
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技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

8

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

0.0051 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

3.8 W

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓:

1.5 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

20 V

?

技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間:

15 ns

?

技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間:

12 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

150 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

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技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

3800 mW

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

8

?

封裝參數(shù)/封裝:

1212

?

外形尺寸/封裝:

1212

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

RoHS Compliant

?

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