技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 1 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/擊穿電壓(集電極-發(fā)射極)： | 40 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/最小電流放大倍數(shù)(hFE)： | 40 @1.5A, 2V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 1 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 200 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -65 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 1000 mW | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-5 | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-5 | ? |
物理參數(shù)/材質(zhì)： | Silicon | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -65℃ ~ 200℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tray | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Contains Lead | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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JANTX2N3867S
|
Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-205 |
硅PNP功率晶體管 Silicon PNP Power Transistors
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