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描述：
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-18
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技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 1200pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 25000 mW | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 18 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | LLCC | ? |
外形尺寸/封裝： | LLCC | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | Non-Compliant | ? |
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