技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC)： | 100 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定電流： | 1.50 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率： | 3.1 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 540 mΩ | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 3.1 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 2 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容： | 250pF @25V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 100 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 100 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 1.50 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間： | 47 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 250pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間： | 18 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 2 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOT-223 | ? |
外形尺寸/長度： | 6.7 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 3.7 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 1.45 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SOT-223 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
其他/制造應(yīng)用： | Industrial, Power Management | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
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IRLL110TRPBF
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VISHAY (威世) | 類似代替 | TO-261-4 |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRLL110TRPBF
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Vishay Siliconix | 類似代替 | TO-261-4 |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRLL110TRPBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 類似代替 | SOT-223 |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL110TRPBF
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-261-4 |
VISHAY IRFL110TRPBF 晶體管, MOSFET, N溝道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 10 V
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Vishay Intertechnology | 類似代替 |
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
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