技術(shù)參數(shù)/額定功率： | 54 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 8 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 54 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 4 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 900 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 1.70 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 21 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 32 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-263 | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-263 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFBF20SPBF
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-263 |
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3
|
||
IRFBF20S
|
Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | 3 |
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
|
||
|
|
Infineon (英飛凌) | 完全替代 | TO-263 |
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
|
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