芯片AI顧問
封裝參數(shù)/封裝： | TO-252 | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-252 | ? |
其他/RoHS 狀態(tài)： | 符合 ROHS3 規(guī)范 | ? |
其他/濕氣敏感性等級 (MSL)： | 1（無限） | ? |
其他/ECCN： | EAR99 | ? |
其他/HTSUS： | 8541.29.0095 | ? |
其他/制造商： | Vishay Siliconix | ? |
其他/系列： | - | ? |
其他/包裝： | 卷帶（TR） | ? |
其他/零件狀態(tài)： | 在售 | ? |
其他/FET 類型： | N 通道 | ? |
其他/技術(shù)： | MOSFET（金屬氧化物） | ? |
其他/漏源電壓（Vdss）： | 500 V | ? |
其他/25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： | 5A（Tc） | ? |
其他/驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 10V | ? |
其他/不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： | 1.7 歐姆 @ 3A，10V | ? |
其他/不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： | 4.5V @ 250μA | ? |
其他/不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： | 24 nC @ 10 V | ? |
其他/Vgs（最大值）： | ±30V | ? |
其他/不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： | 490 pF @ 25 V | ? |
其他/FET 功能： | - | ? |
其他/功率耗散（最大值）： | 110W（Tc） | ? |
其他/工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） | ? |
其他/安裝類型： | 表面貼裝型 | ? |
其他/供應(yīng)商器件封裝： | TO-252AA | ? |
其他/封裝/外殼： | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | ? |
其他/基本產(chǎn)品編號： | SIHFR430 | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 |
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