芯片AI顧問
技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC)： | 800 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定電流： | 6.20 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 1.5 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 140 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 3.75 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 800 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 800 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓： | ±30.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 6.20 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間： | 30 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 1320pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 140 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間： | 28 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 140W (Tc) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-247-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 15.75 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 5.15 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 20.15 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-247-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | ? | |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn)： | No SVHC | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 | ? |
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STW12NK90Z
|
ST Microelectronics (意法半導(dǎo)體) | 類似代替 | TO-247-3 |
STMICROELECTRONICS STW12NK90Z 功率場效應(yīng)管, MOSFET, N溝道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V
|
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