芯片AI顧問
技術參數(shù)/額定電壓(DC)： | 800 V | ? |
技術參數(shù)/額定電流： | 1.00 A | ? |
技術參數(shù)/通道數(shù)： | 1 | ? |
技術參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術參數(shù)/漏源極電阻： | 13 Ω | ? |
技術參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術參數(shù)/耗散功率： | 45 W | ? |
技術參數(shù)/閾值電壓： | 3.75 V | ? |
技術參數(shù)/輸入電容： | 160 pF | ? |
技術參數(shù)/柵電荷： | 7.70 nC | ? |
技術參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 800 V | ? |
技術參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 800 V | ? |
技術參數(shù)/柵源擊穿電壓： | ±30.0 V | ? |
技術參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 1.00 A | ? |
技術參數(shù)/上升時間： | 30 ns | ? |
技術參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 160pF @25V(Vds) | ? |
技術參數(shù)/額定功率(Max)： | 45 W | ? |
技術參數(shù)/下降時間： | 55 ns | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術參數(shù)/耗散功率(Max)： | 45000 mW | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-252-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 6.6 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 6.2 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 2.4 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-252-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
其他/制造應用： | 工業(yè), Power Management, Industrial, 電源管理 | ? |
符合標準/RoHS標準： | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | Lead Free | ? |
符合標準/REACH SVHC標準： | No SVHC | ? |
符合標準/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 | ? |
海關信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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FQD1N80TM
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-252-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD1N80TM 功率場效應管, MOSFET, N溝道, 1 A, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 V
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FQD1N80TM
|
Fairchild (飛兆/仙童) | 功能相似 | TO-252-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD1N80TM 功率場效應管, MOSFET, N溝道, 1 A, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 V
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