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型號(hào): IPD50N06S4L-08
描述: 的OptiMOS -T2功率三極管 OptiMOS-T2 Power-Transistor
商品二維碼
封 裝: TO-252-3
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
9.45  元 9.45元
10+:
¥ 11.3400
100+:
¥ 10.7730
500+:
¥ 10.3950
1000+:
¥ 10.3761
2000+:
¥ 10.3005
5000+:
¥ 10.2060
7500+:
¥ 10.1304
10000+:
¥ 10.0926
數(shù)量
10+
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500+
1000+
2000+
價(jià)格
11.3400
10.7730
10.3950
10.3761
10.3005
價(jià)格 11.3400 10.7730 10.3950 10.3761 10.3005
起批量 10+ 100+ 500+ 1000+ 2000+
  • 運(yùn)費(fèi)   有貨 運(yùn)費(fèi)價(jià)格:13.00
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技術(shù)參數(shù)/通道數(shù):

1

?

技術(shù)參數(shù)/極性:

N-CH

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

71 W

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓:

1.2 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

60 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

50A

?

技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間:

2 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

4780pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

71 W

?

技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間:

8 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

175 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

71000 mW

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-252-3

?

外形尺寸/長(zhǎng)度:

6.5 mm

?

外形尺寸/寬度:

6.22 mm

?

外形尺寸/高度:

2.3 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-252-3

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

其他/制造應(yīng)用:

Valves control, Single-ended motors, Solenoids control, Lighting

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

海關(guān)信息/ECCN代碼:

EAR99

?

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IPD90N06S4L-06 IPD90N06S4L-06 Infineon (英飛凌) 類似代替 TO-252-3
Infineon OptiMOS? T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ? -T2 具有一系列節(jié)能 MOSFET 晶體管,可減少 CO2 并采用電力驅(qū)動(dòng)。 新的 OptiMOS? -T2 產(chǎn)品系列擴(kuò)展了現(xiàn)有的 OptiMOS? -T 和 OptiMOS? 系列。 OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝,可處理最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用,在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設(shè)計(jì)符合并超過計(jì)算機(jī)應(yīng)用中更嚴(yán)格的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增強(qiáng)模式 AEC 合格 MSL1 高達(dá) 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作溫度 綠色產(chǎn)品(符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)) MOSFET 晶體管,Infineon Infineon 龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合包括 OptiMOS? 與 CoolMOS? 系列。 這些產(chǎn)品提供最新一代最先進(jìn)功率 MOSFET 中的頂級(jí)性能

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