技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.044 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | P-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 1.25 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | -8.00 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | -3.50 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOT-23 | ? |
外形尺寸/封裝： | SOT-23 | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI2305DS-T1-E3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 類似代替 | TO-236 |
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -8V; RDS(ON) 0.044Ω; ID +/-3.5A; TO-236 (SOT-23); PD 1.25W
|
||
SI2305CDS-T1-GE3
|
Vishay Intertechnology | 類似代替 | SOT-23-3 |
VISHAY SI2305CDS-T1-GE3 晶體管, MOSFET, P溝道, -5.8 A, -8 V, 0.028 ohm, -4.5 V, -1 V
|
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