技術(shù)參數(shù)/電源電壓(DC)： | 3.30 V, 3.60 V (max) | ? |
技術(shù)參數(shù)/位數(shù)： | 8 | ? |
技術(shù)參數(shù)/存取時間： | 55 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/內(nèi)存容量： | 1000000 B | ? |
技術(shù)參數(shù)/存取時間(Max)： | 55 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 85 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | 40 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/電源電壓： | 2.5V ~ 3.6V | ? |
技術(shù)參數(shù)/電源電壓(Max)： | 3.6 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/電源電壓(Min)： | 2.5 V | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 32 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TSOP-32 | ? |
外形尺寸/封裝： | TSOP-32 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -40℃ ~ 85℃ (TA) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Obsolete | ? |
其他/包裝方式： | Tray | ? |
符合標準/RoHS標準： | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | ? | |
海關(guān)信息/香港進出口證： | NLR | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IS62WV1288BLL-55TLI
|
Integrated Silicon Solution(ISSI) | 類似代替 | TSOP-32 |
RAM，ISSI **ISSI** 靜態(tài) RAM 產(chǎn)品使用高性能 CMOS 技術(shù)。 提供各種靜態(tài) RAM，其中包括 5V 高速異步 SRAM、高速低功率異步 SRAM、5V 低功率類型異步 SRAM、超低功率 CMOS 靜態(tài) RAM 和 PowerSaverTM 低功率異步 SRAM。 ISSI SRAM 設(shè)備提供各種電壓、存儲器大小和不同的組織。 它們適用于以下應(yīng)用，如 CPU 緩存、嵌入式處理器、硬盤和工業(yè)電子開關(guān)。 電源：1.8V/3.3V/5V 提供的封裝：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置選擇：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速異步 SRAM ### SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）
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