技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC)： | -30.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定電流： | -2.00 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率： | 500 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.08 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | P-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 500 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 20 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容： | 298 pF | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵電荷： | 6.20 nC | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 30 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | -30.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓： | ±20.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 2.00 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 13 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 298pF @15V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 460 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 13 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 0.5 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOT-23-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 2.92 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 1.4 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 0.94 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SOT-23-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Unknown | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標準/RoHS標準： | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | Lead Free | ? |
符合標準/REACH SVHC標準： | No SVHC | ? |
符合標準/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDN360P
|
Fairchild (飛兆/仙童) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P溝道 MOSFET FDN360P, 2 A, Vds=30 V, 3引腳 SOT-23封裝
|
||
IRLML5203TRPBF
|
International Rectifier (國際整流器) | 功能相似 | SOT-23-3 |
P 通道功率 MOSFET 最大 7A，Infineon Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 P 通道設(shè)備，外形可應(yīng)對幾乎任何板布局和熱設(shè)計挑戰(zhàn)。 在整個范圍內(nèi)，基準導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。 ### MOSFET 晶體管，Infineon (IR) Infineon 全面的堅固單和雙 N 通道和 P 通道設(shè)備組合提供快速切換速度，且可滿足各種電源需求。 應(yīng)用范圍從交流-直流和直流-直流電源到音頻和消費電子產(chǎn)品，從電動機控制到照明和家用電器。
|
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