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型號(hào): FQU13N06LTU
描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N溝道 MOSFET FQU13N06LTU, 11 A, Vds=60 V, 3引腳 IPAK (TO-251)封裝
商品二維碼
封 裝: TO-251-3
貨 期:
包裝方式: Rail, Tube
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
5.31  元 5.31元
10+:
¥ 6.3720
100+:
¥ 6.0534
500+:
¥ 5.8410
1000+:
¥ 5.8304
2000+:
¥ 5.7879
5000+:
¥ 5.7348
7500+:
¥ 5.6923
10000+:
¥ 5.6711
數(shù)量
10+
100+
500+
1000+
2000+
價(jià)格
6.3720
6.0534
5.8410
5.8304
5.7879
價(jià)格 6.3720 6.0534 5.8410 5.8304 5.7879
起批量 10+ 100+ 500+ 1000+ 2000+
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技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

3

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

0.092 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

2.5 W

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓:

2.5 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

60 V

?

技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間:

90 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

270pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

2.5 W

?

技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間:

40 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

150 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

2.5 W

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Through Hole

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-251-3

?

外形尺寸/長(zhǎng)度:

6.6 mm

?

外形尺寸/寬度:

2.3 mm

?

外形尺寸/高度:

6.1 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-251-3

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 150℃

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Rail, Tube

?

其他/制造應(yīng)用:

電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制, 電源管理, 音頻

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

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