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型號(hào): IRFP064PBF
描述: 功率MOSFET Power MOSFET
商品二維碼
封 裝: TO-247-3
貨 期:
包裝方式: Tube
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
8.22  元 8.22元
10+:
¥ 9.8640
100+:
¥ 9.3708
500+:
¥ 9.0420
1000+:
¥ 9.0256
2000+:
¥ 8.9598
5000+:
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10000+:
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數(shù)量
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1000+
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價(jià)格
9.8640
9.3708
9.0420
9.0256
8.9598
價(jià)格 9.8640 9.3708 9.0420 9.0256 8.9598
起批量 10+ 100+ 500+ 1000+ 2000+
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技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC):

60.0 V

?

技術(shù)參數(shù)/額定電流:

70.0 A

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率:

300 W

?

技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

3

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

0.009 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/極性:

N-Channel

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

300 W

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓:

4 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

60 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓:

60.0 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

70.0 A

?

技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間:

190 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

7400pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

300 W

?

技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間:

190 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

175 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

300W (Tc)

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Through Hole

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-247-3

?

外形尺寸/長(zhǎng)度:

15.87 mm

?

外形尺寸/寬度:

5.31 mm

?

外形尺寸/高度:

20.82 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-247-3

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 175℃

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tube

?

其他/最小包裝:

500

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

海關(guān)信息/ECCN代碼:

EAR99

?

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IRFP064PBF IRFP064PBF VISHAY (威世) 功能相似 TO-247-3
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.009Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE PACKAGE-3
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IRFP064NPBF IRFP064NPBF International Rectifier (國(guó)際整流器) 功能相似 TO-247-3
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP064NPBF 場(chǎng)效應(yīng)管, N 通道, MOSFET, 55V, 110A, TO-247AC 新
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