技術參數(shù)/額定功率: | 375 W | ? |
技術參數(shù)/針腳數(shù): | 3 | ? |
技術參數(shù)/漏源極電阻: | 0.017 Ω | ? |
技術參數(shù)/極性: | N-Channel | ? |
技術參數(shù)/耗散功率: | 375 W | ? |
技術參數(shù)/閾值電壓: | 5 V | ? |
技術參數(shù)/輸入電容: | 5380 pF | ? |
技術參數(shù)/漏源極電壓(Vds): | 200 V | ? |
技術參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids): | 76A | ? |
技術參數(shù)/上升時間: | 18 ns | ? |
技術參數(shù)/輸入電容(Ciss): | 5380pF @50V(Vds) | ? |
技術參數(shù)/額定功率(Max): | 375 W | ? |
技術參數(shù)/下降時間: | 22 ns | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Max): | 175 ℃ | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Min): | -55 ℃ | ? |
技術參數(shù)/耗散功率(Max): | 375000 mW | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式: | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù): | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝: | TO-220-3 | ? |
外形尺寸/長度: | 10.67 mm | ? |
外形尺寸/寬度: | 4.4 mm | ? |
外形尺寸/高度: | 15.65 mm | ? |
外形尺寸/封裝: | TO-220-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度: | -55℃ ~ 175℃ (TJ) | ? |
其他/產品生命周期: | Active | ? |
其他/包裝方式: | Tube | ? |
其他/制造應用: | Power Management, Battery Operated Drive, Full-Bridge, 電源管理, Push-Pull, Consumer Full-Bridge | ? |
符合標準/RoHS標準: | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準: | Lead Free | ? |
符合標準/REACH SVHC版本: | 2015/12/17 | ? |
型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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IRF | 類似代替 |
INFINEON IRFB4227PBF 晶體管, MOSFET, N溝道, 65 A, 200 V, 0.0197 ohm, 10 V, 5 V
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![]() |
Infineon (英飛凌) | 類似代替 | TO-220-3 |
HEXFET? N 通道功率 MOSFET 最大 50A,Infineon HEXFET? 電源 MOSFET 具有各種堅固的單 N 通道設備,用于為音頻、消費電子產品、電動機控制和照明及家用電器提供交流到直流和直流到直流電源。 ### MOSFET 晶體管,Infineon (IR) Infineon 全面的堅固單和雙 N 通道和 P 通道設備組合提供快速切換速度,且可滿足各種電源需求。 應用范圍從交流-直流和直流-直流電源到音頻和消費電子產品,從電動機控制到照明和家用電器。
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