芯片AI顧問
技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC)： | 100 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定電流： | 32.0 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/通道數(shù)： | 1 | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.032 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 95 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 4 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容： | 1.25 nF | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵電荷： | 18.5 nC | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 100 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 100 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓： | ±20.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 32.0 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間： | 46 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 1250pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 95 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間： | 26 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 175 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 95 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-252-3 | ? |
外形尺寸/長(zhǎng)度： | 6.73 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 6.22 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 2.39 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-252-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Not Recommended for New Designs | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn)： | No SVHC | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDD3860
|
Fairchild (飛兆/仙童) | 類似代替 | TO-252-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3860 晶體管, MOSFET, N溝道, 29 A, 100 V, 0.029 ohm, 10 V, 3.8 V
|
||
|
|
Rochester (羅切斯特) | 類似代替 | TO-252 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3672 晶體管, MOSFET, N溝道, 44 A, 100 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V
|
?Copyright 2013-2025 億配芯城（深圳）電子科技有限公司 粵ICP備17008354號(hào)
最有幫助的評(píng)價(jià)
最新評(píng)價(jià)
暫時(shí)還沒有評(píng)價(jià)
期待你分享科技帶來的樂趣