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型號: FDN5630
描述: PowerTrench? N 通道 MOSFET,高達(dá) 9.9A,F(xiàn)airchild Semiconductor ### MOSFET 晶體管,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合,包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性,以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷,無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運(yùn)行更長時間。
商品二維碼
封 裝: SOT-23-3
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
3.08  元 3.08元
5+:
¥ 4.1580
25+:
¥ 3.8500
50+:
¥ 3.6344
100+:
¥ 3.5420
500+:
¥ 3.4804
2500+:
¥ 3.4034
5000+:
¥ 3.3726
10000+:
¥ 3.3264
數(shù)量
5+
25+
50+
100+
500+
價格
4.1580
3.8500
3.6344
3.5420
3.4804
價格 4.1580 3.8500 3.6344 3.5420 3.4804
起批量 5+ 25+ 50+ 100+ 500+
  • 運(yùn)費(fèi)   有貨 運(yùn)費(fèi)價格:13.00
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技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

3

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

0.1 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

0.5 W

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓:

2.4 V

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容:

400 pF

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

60 V

?

技術(shù)參數(shù)/上升時間:

6 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

400pF @15V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

460 mW

?

技術(shù)參數(shù)/下降時間:

5 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

150 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

500 mW

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

SOT-23-3

?

外形尺寸/長度:

2.92 mm

?

外形尺寸/寬度:

1.4 mm

?

外形尺寸/高度:

0.94 mm

?

外形尺寸/封裝:

SOT-23-3

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

其他/制造應(yīng)用:

電機(jī)驅(qū)動與控制, 電源管理

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

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