技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 60000 mW | ? |
技術(shù)參數(shù)/擊穿電壓(集電極-發(fā)射極)： | 600 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 60 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 60000 mW | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-263-3 | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-263-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Obsolete | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | ? | |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRG4BC20KDSTRLP
|
Infineon (英飛凌) | 類似代替 | TO-263-3 |
IGBT 高達(dá) 20A，Infineon 優(yōu)化的 IGBT 設(shè)計用于中頻應(yīng)用，可快速響應(yīng)，為用戶提供最大效率。 這些設(shè)備利用 FRED 經(jīng)優(yōu)化的二極管，從而提供最佳的 IGBT 性能 ### IGBT 晶體管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（絕緣柵級雙極性晶體管）產(chǎn)品組合，范圍從 300V 到 1200V，采用各種技術(shù)，可最大程度降低切換和傳導(dǎo)損耗，從而提高效率、減少熱敏問題并改善功率密度。 公司還提供多種 IGBT 壓模，專門設(shè)計用于中到高功率模塊。 對于需要最大可靠性的模塊，可使用可焊接前部金屬 (SFM) 壓模來消除連接線，從而實現(xiàn)雙面冷卻，提高熱敏性能、可靠性和效率。
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