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型號: FDI8441
描述: N溝道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
商品二維碼
封 裝: TO-262-3
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標準包裝數(shù): 1
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技術參數(shù)/極性:

N-CH

?

技術參數(shù)/耗散功率:

300W (Tc)

?

技術參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

40 V

?

技術參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

26A

?

技術參數(shù)/輸入電容(Ciss):

15000pF @25V(Vds)

?

技術參數(shù)/額定功率(Max):

300 W

?

技術參數(shù)/耗散功率(Max):

300W (Tc)

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Through Hole

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-262-3

?

外形尺寸/封裝:

TO-262-3

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

?

其他/產品生命周期:

Obsolete

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

符合標準/RoHS標準:

RoHS Compliant

?

符合標準/含鉛標準:

Lead Free

?

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IPP80N04S4-04 IPP80N04S4-04 Infineon (英飛凌) 功能相似 TO-220-3
Infineon OptiMOS? T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ? -T2 具有一系列節(jié)能 MOSFET 晶體管,可減少 CO2 并采用電力驅動。 新的 OptiMOS? -T2 產品系列擴展了現(xiàn)有的 OptiMOS? -T 和 OptiMOS? 系列。 OptiMOS? 產品提供高性能封裝,可處理最具挑戰(zhàn)性的應用,在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產品經的設計符合并超過計算機應用中更嚴格的下一代電壓調節(jié)標準的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增強模式 AEC 合格 MSL1 高達 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作溫度 綠色產品(符合 RoHS 標準) ### MOSFET 晶體管,Infineon Infineon 龐大且全面的 MOSFET 設備組合包括 OptiMOS? 與 CoolMOS? 系列。 這些產品提供最新一代最先進功率 MOSFET 中的頂級性能

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