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型號: FGB20N60SFD
描述: IGBT 分立,F(xiàn)airchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模塊,F(xiàn)airchild Semiconductor 絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
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封 裝: TO-263-3
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標準包裝數(shù): 1
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100+:
¥ 6.9198
500+:
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1000+:
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2000+:
¥ 6.6163
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技術參數(shù)/耗散功率:

83 W

?

技術參數(shù)/擊穿電壓(集電極-發(fā)射極):

600 V

?

技術參數(shù)/反向恢復時間:

34 ns

?

技術參數(shù)/額定功率(Max):

208 W

?

技術參數(shù)/工作溫度(Max):

150 ℃

?

技術參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術參數(shù)/耗散功率(Max):

208 W

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-263-3

?

外形尺寸/長度:

10.67 mm

?

外形尺寸/寬度:

9.65 mm

?

外形尺寸/高度:

4.83 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-263-3

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

符合標準/RoHS標準:

RoHS Compliant

?

符合標準/含鉛標準:

Lead Free

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