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型號(hào): FQH8N100C
描述: QFET? N 通道 MOSFET,6A 至 10.9A,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進(jìn)的專利技術(shù)為廣泛的應(yīng)用提供最佳的工作性能,包括電源、PFC(功率因數(shù)校正)、直流-直流轉(zhuǎn)換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運(yùn)動(dòng)控制。 它們通過(guò)降低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來(lái)減少通態(tài)損耗,并通過(guò)降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來(lái)減少切換損耗。 通過(guò)使用先進(jìn)的 QFET? 工藝技術(shù),F(xiàn)airchild 可提供比競(jìng)爭(zhēng)平面 MOSFET 設(shè)備更高的品質(zhì)因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶體管,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合,包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過(guò)降低電壓峰值和過(guò)沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性,以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷,無(wú)需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長(zhǎng)時(shí)間。
商品二維碼
封 裝: TO-247-3
貨 期:
包裝方式: Tube
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
36  元 36元
1+:
¥ 43.9200
10+:
¥ 41.4000
100+:
¥ 39.5280
250+:
¥ 39.2400
500+:
¥ 38.9520
1000+:
¥ 38.6280
2500+:
¥ 38.3400
5000+:
¥ 38.1600
數(shù)量
1+
10+
100+
250+
500+
價(jià)格
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41.4000
39.5280
39.2400
38.9520
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起批量 1+ 10+ 100+ 250+ 500+
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技術(shù)參數(shù)/極性:

N-CH

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

225 W

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

1000 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

8A

?

技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間:

95 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

3220pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

225 W

?

技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間:

80 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

150 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

225W (Tc)

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Through Hole

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-247-3

?

外形尺寸/長(zhǎng)度:

15.87 mm

?

外形尺寸/寬度:

4.82 mm

?

外形尺寸/高度:

20.82 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-247-3

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tube

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

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