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型號: FQT4N25TF
描述: QFET? N 通道 MOSFET,高達(dá) 5.9A,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進(jìn)的專利技術(shù)為廣泛的應(yīng)用提供最佳的工作性能,包括電源、PFC(功率因數(shù)校正)、直流-直流轉(zhuǎn)換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運動控制。 它們通過降低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來減少通態(tài)損耗,并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。 通過使用先進(jìn)的 QFET? 工藝技術(shù),F(xiàn)airchild 可提供比競爭平面 MOSFET 設(shè)備更高的品質(zhì)因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶體管,F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合,包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計可靠性,以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷,無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
商品二維碼
封 裝: TO-261-4
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
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25+:
¥ 2.4125
50+:
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100+:
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500+:
¥ 2.1809
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技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

3

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

1.38 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

2.5 W

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓:

5 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

250 V

?

技術(shù)參數(shù)/上升時間:

45 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

155pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

2.5 W

?

技術(shù)參數(shù)/下降時間:

22 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

150 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

2.5 W

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

4

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-261-4

?

外形尺寸/長度:

6.7 mm

?

外形尺寸/寬度:

3.7 mm

?

外形尺寸/高度:

1.7 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-261-4

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

其他/制造應(yīng)用:

電源管理, 照明, 工業(yè)

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

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型號 品牌 相似度 封裝 簡介 數(shù)據(jù)手冊
FQT4N25TF FQT4N25TF ON Semiconductor (安森美) 功能相似 TO-261-4
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT4N25TF 晶體管, MOSFET, N溝道, 830 mA, 250 V, 1.38 ohm, 10 V, 5 V
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