技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 5 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/擊穿電壓(集電極-發(fā)射極)： | 80 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/最小電流放大倍數(shù)(hFE)： | 30 @3A, 2V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 5 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 200 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -65 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 5000 mW | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-3 | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-3 | ? |
物理參數(shù)/材質(zhì)： | Silicon | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -65℃ ~ 200℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tray | ? |
符合標準/RoHS標準： | Non-Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | Contains Lead | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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Microchip (微芯) | 完全替代 | Tray |
NPN大功率硅晶體管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
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