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型號: STP80PF55
描述: P 溝道 STripFET? 功率 MOSFET,STMicroelectronics STripFET? MOSFET,帶寬擊穿電壓范圍,可提供超低柵極電話和低接通電阻。 ### MOSFET 晶體管,STMicroelectronics
商品二維碼
封 裝: TO-220-3
貨 期:
包裝方式: Tube
標(biāo)準包裝數(shù): 1
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100+:
¥ 10.0092
500+:
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1000+:
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2000+:
¥ 9.5702
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技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC):

-55.0 V

?

技術(shù)參數(shù)/額定電流:

-80.0 A

?

技術(shù)參數(shù)/通道數(shù):

1

?

技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

3

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

0.018 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/極性:

P-Channel

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

300 W

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓:

3 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

55 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓:

55.0 V

?

技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓:

±16.0 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

80.0 A

?

技術(shù)參數(shù)/上升時間:

190 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

5500pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

300 W

?

技術(shù)參數(shù)/下降時間:

80 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

175 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

300W (Tc)

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Through Hole

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-220-3

?

外形尺寸/長度:

10.4 mm

?

外形尺寸/寬度:

4.6 mm

?

外形尺寸/高度:

9.15 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-220-3

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 175℃

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tube

?

其他/制造應(yīng)用:

Industrial, 工業(yè)

?

符合標(biāo)準/RoHS標(biāo)準:

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準/含鉛標(biāo)準:

Lead Free

?

符合標(biāo)準/REACH SVHC標(biāo)準:

No SVHC

?

符合標(biāo)準/REACH SVHC版本:

2014/06/16

?

海關(guān)信息/ECCN代碼:

EAR99

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型號 品牌 相似度 封裝 簡介 數(shù)據(jù)手冊
IRF4905PBF IRF4905PBF Infineon (英飛凌) 功能相似 TO-220-3
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF4905PBF 場效應(yīng)管, P通道, MOSFET, -55V, 74A, TO-220AB 新
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