技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC)： | 60.0 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定電流： | 60.0 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/通道數(shù)： | 1 | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.0115 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 110 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 4 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容： | 1.70 nF | ? |
技術(shù)參數(shù)/柵電荷： | 75.0 nC | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 60 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 60 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 30.0 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 60 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 1700pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 110 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 16 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 175 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 110W (Tc) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-220-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 10.4 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4.6 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 15.75 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-220-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
其他/制造應(yīng)用： | 工業(yè), Industrial | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn)： | No SVHC | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FQP85N06
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-220-3 |
QFET? N 通道 MOSFET，超過 31A，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進(jìn)的專利技術(shù)為廣泛的應(yīng)用提供最佳的工作性能，包括電源、PFC（功率因數(shù)校正）、直流－直流轉(zhuǎn)換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運動控制。 它們通過降低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來減少通態(tài)損耗，并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。 通過使用先進(jìn)的 QFET? 工藝技術(shù)，F(xiàn)airchild 可提供比競爭平面 MOSFET 設(shè)備更高的品質(zhì)因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
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STP60NF06
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ST Microelectronics (意法半導(dǎo)體) | 類似代替 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP60NF06 晶體管, MOSFET, N溝道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V
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STP60NF06L
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ST Microelectronics (意法半導(dǎo)體) | 類似代替 | TO-220-3 |
N 通道 STripFET? II，STMicroelectronics STripFET? MOSFET，帶寬擊穿電壓范圍，可提供超低柵極電話和低接通電阻。 ### MOSFET 晶體管，STMicroelectronics
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