技術(shù)參數(shù)/通道數(shù)： | 1 | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.028 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 190 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 3 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 200 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 200 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 47.0 A, 75.0 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間： | 33 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 3260pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 190 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間： | 29 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -50 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 190W (Tc) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-247-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 15.75 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 5.15 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 20.15 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-247-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -50℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
其他/制造應(yīng)用： | Power Management, 電源管理, 工業(yè), Industrial | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn)： | No SVHC | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 | ? |
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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FQA65N20
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Freescale (飛思卡爾) | 功能相似 | TO-3-3 |
QFET? N 通道 MOSFET，超過 31A，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進(jìn)的專利技術(shù)為廣泛的應(yīng)用提供最佳的工作性能，包括電源、PFC（功率因數(shù)校正）、直流－直流轉(zhuǎn)換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運(yùn)動(dòng)控制。 它們通過降低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來減少通態(tài)損耗，并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。 通過使用先進(jìn)的 QFET? 工藝技術(shù)，F(xiàn)airchild 可提供比競爭平面 MOSFET 設(shè)備更高的品質(zhì)因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長時(shí)間。
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IFA | 功能相似 |
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP260NPBF 場效應(yīng)管, N 通道, MOSFET, 200V, 50A, TO-247AC 新
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FQA65N20
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Fairchild (飛兆/仙童) | 功能相似 | TO-3-3 |
QFET? N 通道 MOSFET，超過 31A，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進(jìn)的專利技術(shù)為廣泛的應(yīng)用提供最佳的工作性能，包括電源、PFC（功率因數(shù)校正）、直流－直流轉(zhuǎn)換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運(yùn)動(dòng)控制。 它們通過降低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來減少通態(tài)損耗，并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。 通過使用先進(jìn)的 QFET? 工藝技術(shù)，F(xiàn)airchild 可提供比競爭平面 MOSFET 設(shè)備更高的品質(zhì)因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長時(shí)間。
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