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描述：
PowerTrench? P 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor PowerTrench? MOSFET 是優(yōu)化的電源開關，可提高系統(tǒng)效率和功率密度。 它們組合了小柵極電荷 (Qg)、小反向恢復電荷 (Qrr) 和軟性反向恢復主體二極管，有助于快速切換交流/直流電源中的同步整流。 最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽柵極結構，可提供電荷平衡。 利用這一先進技術，這些設備的 FOM（品質(zhì)因素）顯著低于之前的 FOM。 PowerTrench? MOSFET 的軟性主體二極管性能可無需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。 ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設計可靠性，以減少結電容和反向恢復電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運行更長時間。
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技術參數(shù)/針腳數(shù)： | 8 | ? |
技術參數(shù)/漏源極電阻： | 0.0178 Ω | ? |
技術參數(shù)/耗散功率： | 104 W | ? |
技術參數(shù)/閾值電壓： | 2.8 V | ? |
技術參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 100 V | ? |
技術參數(shù)/上升時間： | 8.8 ns | ? |
技術參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 3070pF @50V(Vds) | ? |
技術參數(shù)/下降時間： | 6.9 ns | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術參數(shù)/耗散功率(Max)： | 104 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | QFN | ? |
外形尺寸/長度： | 5 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 5.85 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 1.05 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | QFN | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
符合標準/RoHS標準： | | ? |
符合標準/含鉛標準： | Lead Free | ? |
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