技術(shù)參數(shù)/電源電壓(DC): | 2.70V (min) | ? |
技術(shù)參數(shù)/內(nèi)存容量: | 32000 B | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max): | 85 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min): | -40 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/電源電壓(Max): | 5.5 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/電源電壓(Min): | 2.7 V | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式: | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù): | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝: | SOIC | ? |
外形尺寸/封裝: | SOIC | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期: | End of Life | ? |
其他/包裝方式: | Each | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn): | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn): | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn): | No SVHC | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本: | 2014/06/16 | ? |
型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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Ramtron | 類似代替 | SOIC |
F-RAM,Cypress Semiconductor ### FRAM(鐵電 RAM) FRAM(鐵電隨機存取存儲器)是非易失存儲器,將鐵電膜用作電容器來儲存數(shù)據(jù)。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 設(shè)備的特點,具備高速存取、寫入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,這款存儲器特別適用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移動電話和其他設(shè)備。
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