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QFET? N 通道 MOSFET，11A 至 30A，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進(jìn)的專利技術(shù)為廣泛的應(yīng)用提供最佳的工作性能，包括電源、PFC（功率因數(shù)校正）、直流－直流轉(zhuǎn)換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運(yùn)動(dòng)控制。 它們通過降低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來減少通態(tài)損耗，并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。 通過使用先進(jìn)的 QFET? 工藝技術(shù)，F(xiàn)airchild 可提供比競爭平面 MOSFET 設(shè)備更高的品質(zhì)因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。 Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計(jì)可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動(dòng)和運(yùn)行更長時(shí)間。
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技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 43 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 200 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間： | 150 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 830pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 43 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間： | 115 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 43 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-220-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 10.16 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4.7 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 9.19 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-220-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Rail, Tube | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
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