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型號: FQD2N60CTM
描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N60CTM 功率場效應管, MOSFET, N溝道, 1.9 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V
商品二維碼
封 裝: TO-252-3
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標準包裝數(shù): 1
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10+:
¥ 8.7120
100+:
¥ 8.2764
500+:
¥ 7.9860
1000+:
¥ 7.9715
2000+:
¥ 7.9134
5000+:
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技術(shù)參數(shù)/額定電壓(DC):

600 V

?

技術(shù)參數(shù)/額定電流:

1.90 A

?

技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

3

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

3.6 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/極性:

N-Channel

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

44 W

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓:

4 V

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容:

235 pF

?

技術(shù)參數(shù)/柵電荷:

12.0 nC

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

600 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓:

600 V

?

技術(shù)參數(shù)/柵源擊穿電壓:

±30.0 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

1.90 A

?

技術(shù)參數(shù)/上升時間:

25 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

235pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

2.5 W

?

技術(shù)參數(shù)/下降時間:

28 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

150 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

2.5W (Ta), 44W (Tc)

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-252-3

?

外形尺寸/長度:

6.73 mm

?

外形尺寸/寬度:

6.22 mm

?

外形尺寸/高度:

2.39 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-252-3

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

符合標準/RoHS標準:

RoHS Compliant

?

符合標準/含鉛標準:

Lead Free

?

符合標準/REACH SVHC標準:

No SVHC

?

符合標準/REACH SVHC版本:

2015/06/15

?

海關(guān)信息/ECCN代碼:

EAR99

?

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型號 品牌 相似度 封裝 簡介 數(shù)據(jù)手冊
STD3NK60ZT4 STD3NK60ZT4 ST Microelectronics (意法半導體) 功能相似 TO-252-3
STMICROELECTRONICS STD3NK60ZT4 功率場效應管, MOSFET, N溝道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V
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