芯片AI顧問
技術(shù)參數(shù)/額定功率： | 150 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.008 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-CH | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 150 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 4 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容： | 3247 pF | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 55 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 55 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 110A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間： | 101 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 3247pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 200 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間： | 65 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 175 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 200000 mW | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-220-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 10.67 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4.69 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 8.77 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-220-3 | ? |
物理參數(shù)/材質(zhì)： | Silicon | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
其他/制造應(yīng)用： | Consumer Full-Bridge, Push-Pull, Commercial, Commercial, Industrial, Power Management, Power Management, Industrial, Full-Bridge, 電源管理 | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
AUIRF3205Z
|
Infineon (英飛凌) | 類似代替 | TO-220-3 |
N 通道功率 MOSFET，Infineon Infineon 的全面 AECQ-101 汽車資格單芯片 N 通道設(shè)備組合可滿足許多應(yīng)用中的多種電源要求。 該分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 N 通道設(shè)備，外形可應(yīng)對幾乎任何板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。 在整個(gè)范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。 ### MOSFET 晶體管，Infineon (IR) Infineon 全面的堅(jiān)固單和雙 N 通道和 P 通道設(shè)備組合提供快速切換速度，且可滿足各種電源需求。 應(yīng)用范圍從交流-直流和直流-直流電源到音頻和消費(fèi)電子產(chǎn)品，從電動(dòng)機(jī)控制到照明和家用電器。
|
?Copyright 2013-2025 億配芯城（深圳）電子科技有限公司 粵ICP備17008354號
最有幫助的評價(jià)
最新評價(jià)
暫時(shí)還沒有評價(jià)
期待你分享科技帶來的樂趣