芯片AI顧問(wèn)
技術(shù)參數(shù)/額定功率： | 2 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/通道數(shù)： | 2 | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 8 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.05 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N+P | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 2 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 1 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 55 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 55 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 4.7A/3.4A | ? |
技術(shù)參數(shù)/熱阻： | 62.5℃/W (RθJA) | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 740pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 2 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 2 W | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/長(zhǎng)度： | 5 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 1.5 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-8 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Not For New Designs | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
其他/制造應(yīng)用： | 電源管理, Power Management | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 | ? |
| 型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
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IRF7343TRPBF
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Infineon (英飛凌) | 類(lèi)似代替 | SOIC-8 |
INFINEON IRF7343TRPBF 雙路場(chǎng)效應(yīng)管, MOSFET, N和P溝道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
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