技術(shù)參數(shù)/耗散功率: | 3.1 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds): | 100 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間: | 47 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss): | 250pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間: | 18 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max): | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min): | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max): | 2W (Ta), 3.1W (Tc) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式: | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/封裝: | TO-261-4 | ? |
外形尺寸/長(zhǎng)度: | 6.5 mm | ? |
外形尺寸/寬度: | 3.5 mm | ? |
外形尺寸/高度: | 1.8 mm | ? |
外形尺寸/封裝: | TO-261-4 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期: | Discontinued at Digi-Key | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn): | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn): | 無(wú)鉛 | ? |
型號(hào) | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡(jiǎn)介 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
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VISHAY (威世) | 類似代替 | TO-261-4 |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Vishay Siliconix | 類似代替 | TO-261-4 |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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![]() |
Vishay Semiconductor (威世) | 類似代替 | SOT-223 |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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![]() |
VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-261-4 |
VISHAY IRFL110TRPBF 晶體管, MOSFET, N溝道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 10 V
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Vishay Intertechnology | 類似代替 |
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
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