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型號： FDD7N60NZTM
描述： UniFET? N 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor UniFET? MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高電壓 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通態(tài)電阻，還提供卓越的切換性能和較高雪崩能量強(qiáng)度。 此外，內(nèi)部柵極-源極 ESD 二極管讓 UniFET-II? MOSFET 可以耐受超過 2000V HBM 浪涌應(yīng)力。 UniFET? MOSFET 適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正 (PFC)、平板顯示屏 (FPD) 電視電源、ATX（先進(jìn)技術(shù)擴(kuò)展）和電子燈鎮(zhèn)流器。 ### MOSFET 晶體管，F(xiàn)airchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 設(shè)備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供極佳的設(shè)計可靠性，以減少結(jié)電容和反向恢復(fù)電荷，無需額外外部元件即可保持系統(tǒng)啟動和運(yùn)行更長時間。
商品二維碼
封 裝： TO-252-3
貨 期：
包裝方式： Tape & Reel (TR)
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)： 1
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技術(shù)參數(shù)/通道數(shù)：

1

?

技術(shù)參數(shù)/極性：

N-CH

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率：

90 W

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)：

600 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)：

5.5A

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)：

730pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)：

90 W

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)：

150 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)：

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)：

90W (Tc)

?

封裝參數(shù)/安裝方式：

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù)：

3

?

封裝參數(shù)/封裝：

TO-252-3

?

外形尺寸/長度：

6.73 mm

?

外形尺寸/寬度：

6.22 mm

?

外形尺寸/高度：

2.39 mm

?

外形尺寸/封裝：

TO-252-3

?

物理參數(shù)/工作溫度：

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期：

Active

?

其他/包裝方式：

Tape & Reel (TR)

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)：

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)：

Lead Free

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