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型號(hào): IRF640NSPBF
描述: N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,Infineon Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 N 通道設(shè)備,外形可應(yīng)對(duì)幾乎任何板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。 在整個(gè)范圍內(nèi),基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。 ### MOSFET 晶體管,Infineon (IR) Infineon 全面的堅(jiān)固單和雙 N 通道和 P 通道設(shè)備組合提供快速切換速度,且可滿足各種電源需求。 應(yīng)用范圍從交流-直流和直流-直流電源到音頻和消費(fèi)電子產(chǎn)品,從電動(dòng)機(jī)控制到照明和家用電器。
商品二維碼
封 裝: TO-263-3
貨 期:
包裝方式: Tube
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
1.15  元 1.15元
5+:
¥ 1.5525
25+:
¥ 1.4375
50+:
¥ 1.3570
100+:
¥ 1.3225
500+:
¥ 1.2995
2500+:
¥ 1.2708
5000+:
¥ 1.2593
10000+:
¥ 1.2420
數(shù)量
5+
25+
50+
100+
500+
價(jià)格
1.5525
1.4375
1.3570
1.3225
1.2995
價(jià)格 1.5525 1.4375 1.3570 1.3225 1.2995
起批量 5+ 25+ 50+ 100+ 500+
  • 運(yùn)費(fèi)   有貨 運(yùn)費(fèi)價(jià)格:13.00
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技術(shù)參數(shù)/額定功率:

150 W

?

技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

3

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

0.15 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/極性:

N-Channel

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

150 W

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓:

4 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

200 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

18A

?

技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間:

19 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

1160pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間:

5.5 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

175 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

150W (Tc)

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-263-3

?

外形尺寸/長(zhǎng)度:

10.67 mm

?

外形尺寸/寬度:

9.65 mm

?

外形尺寸/高度:

4.83 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-263-3

?

物理參數(shù)/材質(zhì):

Silicon

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tube

?

其他/制造應(yīng)用:

Power Management, 電源管理

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本:

2015/12/17

?

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D2PAK N-CH 200V 18A
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