技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.06 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | P-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 3.1 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/產(chǎn)品系列： | IRF5210S | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 4 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 100 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | -100 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | -40.0 A | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 2780pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 3.1 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 175 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-263-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 10.67 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 4.83 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-263-3 | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Rail, Tube | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn)： | No SVHC | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTB25P06T4G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-263-3 |
P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶體管，ON Semiconductor
|
||
IRF5210STRLPBF
|
Infineon (英飛凌) | 完全替代 | TO-263-3 |
P溝道,-100V,-38A,60mΩ@10V
|
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