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技術(shù)參數(shù)/額定功率： | 300 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.04 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 300 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 4 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 200 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 50A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 60 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 4057pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max)： | 300 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 48 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 175 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 300W (Tc) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-247-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 16.13 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 5.2 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 21.1 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-247-3 | ? |
物理參數(shù)/材質(zhì)： | Silicon | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
其他/制造應(yīng)用： | 工業(yè), Industrial, Commercial, 商業(yè), 電源管理, Power Management | ? |
符合標準/RoHS標準： | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | Lead Free | ? |
符合標準/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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IXTH50N20
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IXYS Semiconductor | 功能相似 | TO-247-3 |
IXYS SEMICONDUCTOR IXTH50N20 晶體管, MOSFET, N溝道, 50 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 4 V
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IFA | 功能相似 |
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP260NPBF 場效應(yīng)管, N 通道, MOSFET, 200V, 50A, TO-247AC 新
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IXFH50N20
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IXYS Semiconductor | 功能相似 | TO-247-3 |
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH50N20 晶體管, MOSFET, N溝道, 50 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 4 V
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