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型號: IRFP054NPBF
描述: N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,Infineon Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 N 通道設備,外形可應對幾乎任何板布局和熱設計挑戰(zhàn)。 在整個范圍內(nèi),基準導通電阻減少了傳導損耗,讓設計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。
商品二維碼
封 裝: TO-247-3
貨 期:
包裝方式: Tube
標準包裝數(shù): 1
16.27  元 16.27元
5+:
¥ 19.0359
50+:
¥ 18.2224
200+:
¥ 17.7668
500+:
¥ 17.6530
1000+:
¥ 17.5391
2500+:
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5000+:
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7500+:
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技術(shù)參數(shù)/額定功率:

130 W

?

技術(shù)參數(shù)/通道數(shù):

1

?

技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

3

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

0.012 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/極性:

N-Channel

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

130 W

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓:

4 V

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容:

2900 pF

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

55 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓:

55 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

81A

?

技術(shù)參數(shù)/上升時間:

66 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

2900pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

170 W

?

技術(shù)參數(shù)/下降時間:

46 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

175 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

170W (Tc)

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Through Hole

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-247-3

?

外形尺寸/長度:

15.9 mm

?

外形尺寸/寬度:

5.3 mm

?

外形尺寸/高度:

20.3 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-247-3

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tube

?

其他/制造應用:

工業(yè), Power Management, 電源管理, Industrial

?

符合標準/RoHS標準:

RoHS Compliant

?

符合標準/含鉛標準:

Lead Free

?

符合標準/REACH SVHC版本:

2015/12/17

?

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型號 品牌 相似度 封裝 簡介 數(shù)據(jù)手冊
IRFP064NPBF IRFP064NPBF International Rectifier (國際整流器) 類似代替 TO-247-3
INFINEON IRFP064NPBF 晶體管, MOSFET, N溝道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 V
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