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型號(hào): IRFU5305PBF
描述: P 通道功率 MOSFET 超過(guò) 8A,Infineon Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 P 通道設(shè)備,外形可應(yīng)對(duì)幾乎任何板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。 在整個(gè)范圍內(nèi),基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。 ### MOSFET 晶體管,Infineon (IR) Infineon 全面的堅(jiān)固單和雙 N 通道和 P 通道設(shè)備組合提供快速切換速度,且可滿足各種電源需求。 應(yīng)用范圍從交流-直流和直流-直流電源到音頻和消費(fèi)電子產(chǎn)品,從電動(dòng)機(jī)控制到照明和家用電器。
商品二維碼
封 裝: TO-251-3
貨 期:
包裝方式: Tube
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
2.87  元 2.87元
5+:
¥ 3.8745
25+:
¥ 3.5875
50+:
¥ 3.3866
100+:
¥ 3.3005
500+:
¥ 3.2431
2500+:
¥ 3.1714
5000+:
¥ 3.1427
10000+:
¥ 3.0996
數(shù)量
5+
25+
50+
100+
500+
價(jià)格
3.8745
3.5875
3.3866
3.3005
3.2431
價(jià)格 3.8745 3.5875 3.3866 3.3005 3.2431
起批量 5+ 25+ 50+ 100+ 500+
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技術(shù)參數(shù)/額定功率:

89 W

?

技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

3

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

0.065 Ω

?

技術(shù)參數(shù)/極性:

P-Channel

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

69 W

?

技術(shù)參數(shù)/閾值電壓:

4 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

55 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

31A

?

技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間:

66 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

1200pF @25V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/額定功率(Max):

110 W

?

技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間:

63 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

175 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

110W (Tc)

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Through Hole

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-251-3

?

外形尺寸/長(zhǎng)度:

6.6 mm

?

外形尺寸/寬度:

2.3 mm

?

外形尺寸/高度:

6.1 mm

?

外形尺寸/腳長(zhǎng)度:

9.65 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-251-3

?

物理參數(shù)/材質(zhì):

Silicon

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tube

?

其他/制造應(yīng)用:

Power Management, 電源管理

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本:

2015/12/17

?

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IRFU5305 IRFU5305 Infineon (英飛凌) 類似代替 TO-251-3
IPAK P-CH 55V 31A
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