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型號: IR2118STRPBF
描述: INFINEON IR2118STRPBF 芯片, MOSFET器件類型
商品二維碼
封 裝: SOIC-8
貨 期:
包裝方式: Tape & Reel (TR)
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù): 1
6.1  元 6.1元
10+:
¥ 7.3200
100+:
¥ 6.9540
500+:
¥ 6.7100
1000+:
¥ 6.6978
2000+:
¥ 6.6490
5000+:
¥ 6.5880
7500+:
¥ 6.5392
10000+:
¥ 6.5148
數(shù)量
10+
100+
500+
1000+
2000+
價(jià)格
7.3200
6.9540
6.7100
6.6978
6.6490
價(jià)格 7.3200 6.9540 6.7100 6.6978 6.6490
起批量 10+ 100+ 500+ 1000+ 2000+
  • 運(yùn)費(fèi)   有貨 運(yùn)費(fèi)價(jià)格:13.00
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技術(shù)參數(shù)/電源電壓(DC):

20.0V (max)

?

技術(shù)參數(shù)/上升/下降時(shí)間:

80ns, 40ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸出接口數(shù):

1

?

技術(shù)參數(shù)/輸出電壓:

10V ~ 20V

?

技術(shù)參數(shù)/輸出電流:

200 mA

?

技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù):

8

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

625 mW

?

技術(shù)參數(shù)/產(chǎn)品系列:

IR2118

?

技術(shù)參數(shù)/靜態(tài)電流:

70 μA

?

技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間:

80 ns

?

技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間:

40 ns

?

技術(shù)參數(shù)/下降時(shí)間(Max):

65 ns

?

技術(shù)參數(shù)/上升時(shí)間(Max):

130 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

125 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-40 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

625 mW

?

技術(shù)參數(shù)/電源電壓:

10V ~ 20V

?

技術(shù)參數(shù)/電源電壓(Max):

20 V

?

技術(shù)參數(shù)/電源電壓(Min):

10 V

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Surface Mount

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

8

?

封裝參數(shù)/封裝:

SOIC-8

?

外形尺寸/長度:

5 mm

?

外形尺寸/寬度:

4 mm

?

外形尺寸/高度:

1.5 mm

?

外形尺寸/封裝:

SOIC-8

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tape & Reel (TR)

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn):

RoHS Compliant

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn):

Lead Free

?

符合標(biāo)準(zhǔn)/REACH SVHC版本:

2015/12/17

?

海關(guān)信息/ECCN代碼:

EAR99

?

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型號 品牌 相似度 封裝 簡介 數(shù)據(jù)手冊
IR2118STR IR2118STR Infineon (英飛凌) 完全替代 SOIC-8
IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC
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