技術(shù)參數(shù)/額定功率： | 2.5 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/通道數(shù)： | 1 | ? |
技術(shù)參數(shù)/針腳數(shù)： | 8 | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻： | 0.015 Ω | ? |
技術(shù)參數(shù)/極性： | P-Channel | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率： | 2.5 W | ? |
技術(shù)參數(shù)/閾值電壓： | 3 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 40 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 40 V | ? |
技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 10.5A | ? |
技術(shù)參數(shù)/上升時間： | 490 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 9250pF @25V(Vds) | ? |
技術(shù)參數(shù)/下降時間： | 97 ns | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max)： | 150 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max)： | 2.5W (Ta) | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Surface Mount | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 8 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | SOIC-8 | ? |
外形尺寸/長度： | 5 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 1.5 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | SOIC-8 | ? |
物理參數(shù)/材質(zhì)： | Silicon | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tape & Reel (TR) | ? |
其他/制造應(yīng)用： | Power Management, 電源管理 | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/RoHS標(biāo)準(zhǔn)： | RoHS Compliant | ? |
符合標(biāo)準(zhǔn)/含鉛標(biāo)準(zhǔn)： | Lead Free | ? |
海關(guān)信息/ECCN代碼： | EAR99 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STS5PF30L
|
ST Microelectronics (意法半導(dǎo)體) | 功能相似 | SOIC-8 |
P 溝道 STripFET? 功率 MOSFET，STMicroelectronics STripFET? MOSFET，帶寬擊穿電壓范圍，可提供超低柵極電話和低接通電阻。 ### MOSFET 晶體管，STMicroelectronics
|
||
SI4401DDY-T1-GE3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SOIC-8 |
-40V,-16.1A,P溝道MOSFET
|
||
IRF7240TR
|
Infineon (英飛凌) | 類似代替 | SOIC-8 |
SOIC P-CH 40V 10.5A
|
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