芯片AI顧問
技術參數(shù)/額定功率： | 250 W | ? |
技術參數(shù)/針腳數(shù)： | 3 | ? |
技術參數(shù)/漏源極電阻： | 0.0056 Ω | ? |
技術參數(shù)/極性： | N-Channel | ? |
技術參數(shù)/耗散功率： | 250 W | ? |
技術參數(shù)/閾值電壓： | 4 V | ? |
技術參數(shù)/輸入電容： | 6860 pF | ? |
技術參數(shù)/漏源極電壓(Vds)： | 100 V | ? |
技術參數(shù)/漏源擊穿電壓： | 100 V | ? |
技術參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids)： | 127A | ? |
技術參數(shù)/上升時間： | 60 ns | ? |
技術參數(shù)/輸入電容(Ciss)： | 6860pF @50V(Vds) | ? |
技術參數(shù)/額定功率(Max)： | 250 W | ? |
技術參數(shù)/下降時間： | 57 ns | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Max)： | 175 ℃ | ? |
技術參數(shù)/工作溫度(Min)： | -55 ℃ | ? |
技術參數(shù)/耗散功率(Max)： | 250000 mW | ? |
封裝參數(shù)/安裝方式： | Through Hole | ? |
封裝參數(shù)/引腳數(shù)： | 3 | ? |
封裝參數(shù)/封裝： | TO-220-3 | ? |
外形尺寸/長度： | 10.67 mm | ? |
外形尺寸/寬度： | 4.83 mm | ? |
外形尺寸/高度： | 9.02 mm | ? |
外形尺寸/封裝： | TO-220-3 | ? |
物理參數(shù)/材質(zhì)： | Silicon | ? |
物理參數(shù)/工作溫度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) | ? |
其他/產(chǎn)品生命周期： | Active | ? |
其他/包裝方式： | Tube | ? |
其他/制造應用： | Consumer Full-Bridge, Push-Pull, Full-Bridge, Battery Operated Drive, 電源管理, Power Management | ? |
符合標準/RoHS標準： | RoHS Compliant | ? |
符合標準/含鉛標準： | Lead Free | ? |
符合標準/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 | ? |
| 型號 | 品牌 | 相似度 | 封裝 | 簡介 | 數(shù)據(jù)手冊 | |
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SPP11N80C3
|
Infineon (英飛凌) | 類似代替 | TO-220-3 |
INFINEON SPP11N80C3 功率場效應管, MOSFET, N溝道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
|
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STP120NF10
|
ST Microelectronics (意法半導體) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP120NF10 晶體管, MOSFET, N溝道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V
|
||
IRFB4410ZPBF
|
International Rectifier (國際整流器) | 類似代替 | TO-220-3 |
INFINEON IRFB4410ZPBF 晶體管, MOSFET, N溝道, 97 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V
|
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