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型號: IRFSL3006PBF
描述: HEXFET? N 通道功率 MOSFET 超過 55A,Infineon ### MOSFET 晶體管,Infineon (IR) Infineon 全面的堅固單和雙 N 通道和 P 通道設(shè)備組合提供快速切換速度,且可滿足各種電源需求。 應(yīng)用范圍從交流-直流和直流-直流電源到音頻和消費電子產(chǎn)品,從電動機控制到照明和家用電器。
商品二維碼
封 裝: TO-262-3
貨 期:
包裝方式: Tube
標準包裝數(shù): 1
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1+:
¥ 55.1074
10+:
¥ 51.9455
100+:
¥ 49.5967
250+:
¥ 49.2353
500+:
¥ 48.8739
1000+:
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2500+:
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5000+:
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49.2353
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技術(shù)參數(shù)/額定功率:

375 W

?

技術(shù)參數(shù)/通道數(shù):

1

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電阻:

2 mΩ

?

技術(shù)參數(shù)/極性:

N-CH

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率:

375 W

?

技術(shù)參數(shù)/漏源極電壓(Vds):

60 V

?

技術(shù)參數(shù)/漏源擊穿電壓:

60 V

?

技術(shù)參數(shù)/連續(xù)漏極電流(Ids):

270A

?

技術(shù)參數(shù)/上升時間:

182 ns

?

技術(shù)參數(shù)/輸入電容(Ciss):

8970pF @50V(Vds)

?

技術(shù)參數(shù)/下降時間:

189 ns

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Max):

175 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/工作溫度(Min):

-55 ℃

?

技術(shù)參數(shù)/耗散功率(Max):

375W (Tc)

?

封裝參數(shù)/安裝方式:

Through Hole

?

封裝參數(shù)/引腳數(shù):

3

?

封裝參數(shù)/封裝:

TO-262-3

?

外形尺寸/長度:

10.67 mm

?

外形尺寸/寬度:

4.83 mm

?

外形尺寸/高度:

9.65 mm

?

外形尺寸/封裝:

TO-262-3

?

物理參數(shù)/材質(zhì):

Silicon

?

物理參數(shù)/工作溫度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

?

其他/產(chǎn)品生命周期:

Active

?

其他/包裝方式:

Tube

?

符合標準/RoHS標準:

RoHS Compliant

?

符合標準/含鉛標準:

Lead Free

?

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